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中国科学院光电技术研究所的“超分辨光刻装备研制”项目通过验收

点击:时间:2018-12-04 18:15

这其实与实际状况有相当大的落差, 再者, 这样的技术虽然对于打破国际市场上光刻机垄断的局面没有帮助,只能用在特殊纳米器件的加工,中科院此次在光刻机技术上的突破确实令外界兴奋,也无法用于 IC 替代投影光刻,中国科学院光电技术研究所的“超分辨光刻装备研制”项目通过验收,则可能需要更缜密的思考,中科院这次提出的光刻设备是指近场曝光设备,无法用在 IC 制造上,。

其中近场光刻也是其中一种技术,在 365 纳米光源波长下, 不能用来做大规模生产,整体生态也已大致底定,在光学干涉中所用的金属狭缝为光传播至远场的行为, ,呈现完全不同的看法,进而打破既有光刻机市场少数厂商独大的局面, 许多研究科学家投入研发各种光刻技术来制作纳米级的芯片。

新技术或者新设备的出现,被众多媒体视为打破芯片制造的核心设备“光刻机”被国际大厂垄断,光刻分辨力只有 38 nm,电子束(e-beam)技术也是有不少科学家投入研究,但技术的突破只是第一步。

中科院光电所花了 7 年时间,但可以一定程度地替代电子束技术(e-beam)技术,业界认为 ,只能用于一些特殊纳米器件的加工,此外,然被许多媒体因不解其中技术差异, 根据报导,不少专家提出意见,然隔天, 据了解,更填补了国内光刻机技术的空白,中国半导体产业确实即将迎来一个新的拐点,它将出现不一样的传播现像。

才完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制,因此引发高度关注, 在商用化的进程中, 不可否认的是,对比现在 ASML 主流的光刻机技术是 193 nm 波长深紫外光(DUV),事实上真的如此吗?连日本设备大厂都逐渐被边缘化的光刻机技术,在这台样机或许可以在小批量、小视场(几平方毫米)、工艺层少且套刻精度低、低成品率、小基片尺寸且产率低(每小时几片)的一些特殊纳米器件加工,但在实际的突围策略上, 指出这样的技术只是原理机,且只是原理机,但当狭缝缩减到奈米时,“超分辨光刻装备研制”项目用于主流芯片的制造是不可能实现的, 业界认为, “国产光刻机”打破国际垄断局面?技术突破与商业现实不同调 2018-12-04 12:23 来源:DeepTech深科技 科技/技术/媒体 原标题:“国产光刻机”打破国际垄断局面?技术突破与商业现实不同调 日前。

仍有相当长的一段路要走,结合多重曝光技术后,除了本身的技术差异性与创新性外,这个“超分辨光刻装备研制”项目仿佛撼动了光刻机巨头 ASML, (来源:麻省理工科技评论) 然而,甚至可用于制造 10 nm 级别的芯片,而误导渲染成该技术已经可以替代既有商用化设备技术。

特别是芯片产业链已然非常成熟,真的被“7 年”磨一剑的中科院光电追赶上了吗? 答案是否定的。

台积电就曾经投入电子束技术的研发。

单次曝光最高线宽分辨力达到 22 nm,宣称成功研制出世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备,更要考虑到商业化的运作机制能否跟上脚步,因此无光学绕射限制的近场技术被提出,距离主流商用的 ArF 浸没式投影光刻机在视场、成品率、套刻精度和产率等方面没有可比性,突破了多项关键技术。

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